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LM5109B

現行

具 8-V UVLO 和高雜訊抗擾度的 1-A、100-V 半橋閘極驅動器

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產品規格表

LM5109B

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產品詳細資料

Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (NGT) 8 16 mm² 4 x 4
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source)
  • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS
  • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
  • Fast Propagation Times (30 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • 8-Pin SOIC and Thermally-Enhanced 8-Pin WSON Package
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source)
  • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS
  • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
  • Fast Propagation Times (30 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • 8-Pin SOIC and Thermally-Enhanced 8-Pin WSON Package

The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.

The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.
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設計與開發

如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

LM2105EVM — 具有整合式自舉二極體且適用於 105-V 半橋驅動器的 LM2105 評估模組

LM2105 評估模組 (EVM) 是用於評估 LM2105 性能的平台。LM2105 是一款具有 0.5-A 峰值源極和 0.8-A 汲極電流的 105-V、開機電壓、高壓側、低壓側驅動器，適用於驅動兩個 N 通道金屬氧化半導體場效電晶體 (MOSFET)。相同的電路板可用於評估支援封裝中的針腳對針腳相容零件。

使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
模擬型號

LM5109B PSpice Transient Model

SNVMAM7.ZIP (75 KB) - PSpice Model
下載
模擬型號

LM5109B Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAM8.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下載
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支援產品和硬體

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封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (NGT) 8 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
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  • REACH
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