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理想二極體/ORing 控制器

LM74610-Q1

現行

0.48-V 至 42-V、零 IQ 汽車理想二極體控制器

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產品規格表

LM74610-Q1

現行
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產品詳細資料

Vin (min) (V) 0.48 Vin (max) (V) 42 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0 Iq (max) (mA) 0 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 10 IGate source (max) (µA) 9.4 IGate sink (typ) (mA) 0.01 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 110 VSense reverse (typ) (mV) 20 Design support EVM Rating Automotive VGS (max) (V) 2.5 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 0.48 Vin (max) (V) 42 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0 Iq (max) (mA) 0 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 10 IGate source (max) (µA) 9.4 IGate sink (typ) (mA) 0.01 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 110 VSense reverse (typ) (mV) 20 Design support EVM Rating Automotive VGS (max) (V) 2.5 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Exceeds HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Maximum reverse voltage of 45 V
  • No Positive Voltage limitation to Anode Terminal
  • Charge Pump Gate Driver for External N-Channel
    MOSFET
  • Lower Power Dissipation than Schottky
    Diode/PFET Solutions
  • Low Reverse Leakage Current
  • Zero IQ
  • Fast 2-µs Response to Reverse Polarity
  • –40°C to +125°C Operating Ambient Temperature
  • Can be Used in OR-ing Applications
  • Meets CISPR25 EMI Specification
  • Meets Automotive ISO7637 Transient
    Requirements with a Suitable TVS Diode
  • No Peak Current Limit
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Exceeds HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Maximum reverse voltage of 45 V
  • No Positive Voltage limitation to Anode Terminal
  • Charge Pump Gate Driver for External N-Channel
    MOSFET
  • Lower Power Dissipation than Schottky
    Diode/PFET Solutions
  • Low Reverse Leakage Current
  • Zero IQ
  • Fast 2-µs Response to Reverse Polarity
  • –40°C to +125°C Operating Ambient Temperature
  • Can be Used in OR-ing Applications
  • Meets CISPR25 EMI Specification
  • Meets Automotive ISO7637 Transient
    Requirements with a Suitable TVS Diode
  • No Peak Current Limit

The LM74610-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in a reverse polarity protection circuitry. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. A unique advantage of this scheme is that it is not referenced to ground and thus has Zero Iq.

The LM74610-Q1 controller provides a gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to discharge the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This fast pull-down feature limits the amount and duration of reverse current flow if opposite polarity is sensed. The device design also meets CISPR25 Class 5 EMI specifications and automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode.

The LM74610-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in a reverse polarity protection circuitry. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. A unique advantage of this scheme is that it is not referenced to ground and thus has Zero Iq.

The LM74610-Q1 controller provides a gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to discharge the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This fast pull-down feature limits the amount and duration of reverse current flow if opposite polarity is sensed. The device design also meets CISPR25 Class 5 EMI specifications and automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode.

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設計與開發

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內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
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內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

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