CSD87312Q3E
MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON de fuente común de 3 mm x 3 mm, 38 mOhm
CSD87312Q3E
- Common Source Connection
- Ultra Low Drain to Drain On-Resistance
- Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package
- Optimized for 5V Gate Drive
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual N-channel device designed for adaptor/USB input protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.
Documentación técnica
Tipo | Título | Fecha | ||
---|---|---|---|---|
* | Data sheet | Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet | 19 nov 2011 | |
Application note | Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs | PDF | HTML | 06 nov 2024 | |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 14 jun 2024 | |
Application note | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 25 mar 2024 | |
Application note | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 18 dic 2023 | |
Application note | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 06 dic 2023 | |
Application note | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 13 mar 2023 | |
Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 31 may 2022 | |
Application note | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 16 nov 2011 |
Diseño y desarrollo
Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.
CSD87312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Productos y hardware compatibles
Productos
MOSFET
Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
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VSON (DPA) | 8 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
Soporte y capacitación
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