CSD17484F4
MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, protección cont
CSD17484F4
- Low on-resistance
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low-threshold voltage
- Ultra-small footprint (0402 Case Size)
- 1.0 mm × 0.6 mm
- Ultra-low profile
- 0.2-mm height
- Integrated ESD protection diode
- Rated > 4-kV HBM
- Rated > 2-kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 99-mΩ, 30-V, N-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
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Documentación técnica
Tipo | Título | Fecha | ||
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* | Data sheet | CSD17484F4 30-V N-Channel FemtoFET MOSFET datasheet (Rev. D) | PDF | HTML | 07 sep 2021 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 14 jun 2024 | |
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Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 31 may 2022 | |
More literature | WCSP Handling Guide | 07 nov 2019 | ||
Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 07 jul 2016 | ||
Technical article | A power MOSFET that boldly goes where no one has gone before | PDF | HTML | 24 sep 2015 |
Diseño y desarrollo
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Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
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PICOSTAR (YJJ) | 3 | Ultra Librarian |
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