CSD25310Q2
MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, SON simple de 2 mm x 2 mm, 23.9 mOhm
CSD25310Q2
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low on resistance
- Low thermal resistance
- Pb-free
- RoHS compliant
- Halogen free
- SON 2mm × 2mm plastic package
This 19.9mΩ, –20V P-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Its low on resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm × 2mm plastic package make the device ideal for battery operated space constrained operations.
Documentación técnica
Diseño y desarrollo
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CSD25310Q2 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)
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- Highly efficient (...)
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Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
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WSON (DQK) | 6 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
Soporte y capacitación
Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI
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