CSD25211W1015
MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, protección cont
CSD25211W1015
- Ultra-low on resistance
- Ultra-low Qg and Qgd
- Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm
- Low profile 0.62 mm height
- Pb Free
- Gate-source voltage clamp
- Gate ESD protection – 3 kV
- RoHS compliant
- Halogen free
The device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.
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Documentación técnica
Tipo | Título | Fecha | ||
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* | Data sheet | CSD25211W1015, P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 16 sep 2022 |
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More literature | WCSP Handling Guide | 07 nov 2019 | ||
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Diseño y desarrollo
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CSD25211W1015 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)
Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
---|---|---|
DSBGA (YZC) | 6 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
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