CSD23203W
MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 19,4 mOhm, protección con
CSD23203W
- Ultra-Low Qg and Qgd
- Low RDS(on)
- Small Footprint
- Low Profile 0.62-mm Height
- Lead Free
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- CSP 1-mm × 1.5-mm Wafer Level Package
This 16.2-mΩ, –8-V, P-Channel device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small 1 × 1.5 mm outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.
Documentación técnica
Diseño y desarrollo
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Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
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DSBGA (YZC) | 6 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
Soporte y capacitación
Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI
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