CSD16321Q5
MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
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Pin por pin con la misma funcionalidad que el dispositivo comparado
CSD16321Q5
- Optimized for 5V gate drive
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low-thermal resistance
- Avalanche rated
- Lead-free terminal plating
- RoHS compliant
- SON 5mm × 6mm plastic package
This 25V, 1.9mΩ, 5mm × 6mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5V gate drive applications.
Documentación técnica
Diseño y desarrollo
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Software
Herramienta de cálculo
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Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
---|---|---|
VSON-CLIP (DQH) | 8 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
Soporte y capacitación
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