CSD17309Q3
MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6,3 mOhm
Se encuentra disponible una versión más nueva de este producto
Pin por pin con la misma funcionalidad que el dispositivo comparado
CSD17309Q3
- Optimized for 5 V Gate Drive
- Ultra-Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
- APPLICATIONS
- Notebook Point of Load
- Point of Load Synchronous Buck in
Networking, Telecom, and Computing
Systems
NexFET Is a trademark of Texas Instruments
This 30 V, 4.2 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5 V gate drive applications.
Documentación técnica
Diseño y desarrollo
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Software
Herramienta de cálculo
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TIDA-00714 — Diseño de referencia del controlador USB tipo C y USB PD, interruptor de alimentación y multiplexor
TIDA-01226 — Diseño de referencia de pantalla de proyección Full HD 1080 p compacta (hasta 16 amperios) con tecno
Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
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VSON-CLIP (DQG) | 8 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
Soporte y capacitación
Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI
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