CSD13385F5
MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, protección con
CSD13385F5
- Low on resistance
- Low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint
- 1.53 mm × 0.77 mm
- Low profile
- 0.36-mm height
- Integrated ESD protection diode
- Rated > 4-kV HBM
- Rated > 2-kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 12-V, 15-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.
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Documentación técnica
Tipo | Título | Fecha | ||
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* | Data sheet | CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 08 sep 2021 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 14 jun 2024 | |
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Application note | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 13 mar 2023 | |
Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 31 may 2022 | |
More literature | WCSP Handling Guide | 07 nov 2019 | ||
EVM User's guide | Ultra-Small Footprint N-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM | 06 dic 2017 | ||
Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 07 jul 2016 |
Diseño y desarrollo
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Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
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Soporte y capacitación
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