CSD13383F4
MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6mm, 44 mOhm, protección contra
CSD13383F4
- Low on-resistance
- Ultra low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint (0402 case size)
- 1.0 mm × 0.6 mm
- Low profile
- 0.36 mm height
- Integrated ESD protection diode
- Rated >2 kV HBM
- Rated >2 kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 37 mΩ, 12 V N-channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
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Documentación técnica
Diseño y desarrollo
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Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
---|---|---|
PICOSTAR (YJC) | 3 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
Soporte y capacitación
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