CSD85301Q2
MOSFET de potencia NexFET™ de 20 V y canal N, SON dual de 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, protección contra de
CSD85301Q2
- Low on-resistance
- Dual independent MOSFETs
- Space saving SON 2mm × 2mm plastic package
- Optimized for 5V gate driver
- Avalanche rated
- Pb and halogen free
- RoHS compliant
The CSD85301Q2 is a 20V, 23mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2mm x 2mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.
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Documentación técnica
Tipo | Título | Fecha | ||
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* | Data sheet | CSD85301Q2 20V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 14 may 2024 |
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Application note | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 16 nov 2011 |
Diseño y desarrollo
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CSD85301Q2 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)
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Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
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