CSD17381F4
MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, protección cont
CSD17381F4
- Ultra-low on-resistance
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low threshold voltage
- Ultra-small footprint (0402 case size)
- 1.0 mm × 0.6 mm
- Ultra-low profile
- 0.36 mm height
- Integrated ESD protection diode
- Rated >4 kV HBM
- Rated >2 kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 90 mΩ, 30 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
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Documentación técnica
Diseño y desarrollo
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Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
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PICOSTAR (YJC) | 3 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
Soporte y capacitación
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