CSD25202W15
MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1.5 mm x 1.5 mm, 26 mOhm, protección co
CSD25202W15
- Low-Resistance
- Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm
- Gate ESD Protection –3 kV
- Pb Free
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- Gate-Source Voltage Clamp
This 21 mΩ, 20 V device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1.5 mm × 1.5 mm chip scale package with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.
Documentación técnica
Diseño y desarrollo
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CSD25202W15 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)
Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
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DSBGA (YZF) | 9 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
Soporte y capacitación
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