전원 관리 전원 스위치 eFuse 및 핫 스왑 컨트롤러

TPS7H2201-SP

활성

방사능 저항, QMLV 및 QMLP 1.5V~7V 입력 6A eFuse

제품 상세 정보

FET Internal Ron (typ) (mΩ) 34 Vin (min) (V) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vabsmax_cont (V) 7.5 Current limit (min) (A) 0.5 Current limit (max) (A) 7.5 Overcurrent response Circuit breaker, Current limiting, current limiting Fault response Auto-retry Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Features Current monitoring, Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Rating Space Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125 Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.0058 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.008
FET Internal Ron (typ) (mΩ) 34 Vin (min) (V) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vabsmax_cont (V) 7.5 Current limit (min) (A) 0.5 Current limit (max) (A) 7.5 Overcurrent response Circuit breaker, Current limiting, current limiting Fault response Auto-retry Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Features Current monitoring, Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Rating Space Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125 Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.0058 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.008
CFP (HKR) 16 105.6 mm² 11 x 9.6 DIESALE (KGD) See data sheet HTSSOP (DAP) 32 89.1 mm² 11 x 8.1
  • Standard micro circuit available, SMD 5962R17220
  • Vendor item drawing available, VID V62/23608
  • Radiation performance:
    • Radiation hardness assurance (RHA) up to TID 100krad(Si)
    • Single event latchup (SEL), single event burnout (SEB), and single event gate rupture (SEGR) immune to LET = 75MeV-cm2/mg
    • SEFI/SET characterized to LET = 75MeV-cm2/mg
  • Integrated single channel eFuse
  • Input voltage range: 1.5V to 7V
  • Low on-resistance (RON) of :
    • 35mΩ maximum at 25°C and VIN = 5V for CFP and KGD
    • 23mΩ maximum at 25°C and VIN = 5V for HTSSOP
  • 6-A maximum continuous switch current
  • Low control input threshold enables use of 1.2, 1.8, 2.5, and 3.3V logic
  • Configurable rise time (soft start)
  • Reverse current protection
  • Programmable and internal current limiting (fast-trip)
  • Programmable fault timer (current limit and retry modes)
  • Thermal shutdown
  • Ceramic and plastic package with thermal pad
  • Standard micro circuit available, SMD 5962R17220
  • Vendor item drawing available, VID V62/23608
  • Radiation performance:
    • Radiation hardness assurance (RHA) up to TID 100krad(Si)
    • Single event latchup (SEL), single event burnout (SEB), and single event gate rupture (SEGR) immune to LET = 75MeV-cm2/mg
    • SEFI/SET characterized to LET = 75MeV-cm2/mg
  • Integrated single channel eFuse
  • Input voltage range: 1.5V to 7V
  • Low on-resistance (RON) of :
    • 35mΩ maximum at 25°C and VIN = 5V for CFP and KGD
    • 23mΩ maximum at 25°C and VIN = 5V for HTSSOP
  • 6-A maximum continuous switch current
  • Low control input threshold enables use of 1.2, 1.8, 2.5, and 3.3V logic
  • Configurable rise time (soft start)
  • Reverse current protection
  • Programmable and internal current limiting (fast-trip)
  • Programmable fault timer (current limit and retry modes)
  • Thermal shutdown
  • Ceramic and plastic package with thermal pad

The TPS7H2201 is a single channel eFuse that provides configurable rise time to minimize inrush current and reverse current protection. The device contains a P-channel MOSFET that can operate over an input voltage range of 1.5V to 7V and can support a maximum continuous current of 6A. The switch is controlled by an on and off input (EN), which is capable of interfacing directly with low-voltage control signals.

The TPS7H2201 is available in a ceramic and plastic package with integrated thermal pad allowing for high power dissipation. The device is characterized for operation over the free-air temperature range of –55°C to 125°C.

The TPS7H2201 is a single channel eFuse that provides configurable rise time to minimize inrush current and reverse current protection. The device contains a P-channel MOSFET that can operate over an input voltage range of 1.5V to 7V and can support a maximum continuous current of 6A. The switch is controlled by an on and off input (EN), which is capable of interfacing directly with low-voltage control signals.

The TPS7H2201 is available in a ceramic and plastic package with integrated thermal pad allowing for high power dissipation. The device is characterized for operation over the free-air temperature range of –55°C to 125°C.

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기술 자료

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설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

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사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
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The TPS7H2201EVM-CVAL is the Evaluation Module (EVM) for the TPS7H2201-SP and provides a platform to electrically evaluate its features.

The TPS7H2201-SP device is a single channel, 6-A load switch with a programmable slew rate for applications that require specific rise-time as well as programmable (...)

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STARD-3P-STAR-TIGER — TI 방사능 강화 전원 및 아날로그 IC를 사용하는 SpaceFiber용 STAR-Dundee STAR-Tiger 전원 공급 장치

STAR-Tiger는 고성능 SpaceFiber 라우팅 스위치로, 유럽 연합 Hi-SIDE 프로젝트의 일환이자, 유럽 우주 포럼에서 스페이스 혁신 상(Innovation in Space Award)을 수상한 바 있습니다. STAR-Tiger 장치의 전원 공급 장치 보드는 라우팅 스위치를 구현하는 데 사용되는 Xilinx KU060 FPGA에 기본 전원 레일을 제공합니다.  STAR-Tiger 전원 공급 보드는 텍사스 인스트루먼트의 방사선 강화 전원 공급 장치를 사용하여 우주선 내 고성능 컴퓨팅 및 네트워킹을 위한 강력한 (...)

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회로도: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
CFP (HKR) 16 Ultra Librarian
DIESALE (KGD)
HTSSOP (DAP) 32 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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