LM5106
Halbbrücken-Gate-Treiber, 1,2 A, 1,8 A, 100 V, mit 8-V-UVLO und programmierbarer Totzeit
LM5106
- Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel
MOSFET - 1.8-A Peak Output Sink Current
- 1.2-A Peak Output Source Current
- Bootstrap Supply Voltage Range up to 118-V DC
- Single TTL Compatible Input
- Programmable Turn-On Delays (Dead-Time)
- Enable Input Pin
- Fast Turn-Off Propagation Delays (32 ns Typical)
- Drives 1000 pF with 15-ns Rise and 10-ns Fall Time
- Supply Rail Under-Voltage Lockout
- Low Power Consumption
- WSON-10 (4 mm × 4 mm) and VSSOP-10 Package
The LM5106 is a high voltage gate driver designed to drive both the high side and low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or half bridge configuration. The floating high side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The single control input is compatible with TTL signal levels and a single external resistor programs the switching transition dead-time through tightly matched turn-on delay circuits. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and provides clean output transitions. Under-voltage lockout disables the gate driver when either the low side or the bootstrapped high side supply voltage is below the operating threshold. The LM5106 is offered in the VSSOP-10 or thermally enhanced 10-pin WSON plastic package.
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Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei gleicher Anschlussbelegung
Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei abweichender Anschlussbelegung
Technische Dokumentation
Typ | Titel | Datum | ||
---|---|---|---|---|
* | Data sheet | LM5106 100-V Half-Bridge Gate Driver With Programmable Dead-Time datasheet (Rev. D) | PDF | HTML | 15 Dez 2014 |
Application note | Comparative Analysis of Two Different Methods for Gate-Drive Current Boosting (Rev. A) | PDF | HTML | 17 Feb 2022 | |
Application brief | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 28 Feb 2020 | ||
Application brief | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 28 Feb 2020 | ||
More literature | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 29 Okt 2018 |
Design und Entwicklung
Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.
LM5106 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. B)
LM5106 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)
LM5106 Unencrypted PSpice Transient Model (Rev. A)
PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool
PMP40182 — Bi-direktionale Batterie-Initialisierungssystem-Leistungsplatine – Referenzdesign
Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
---|---|---|
VSSOP (DGS) | 10 | Ultra Librarian |
WSON (DPR) | 10 | Ultra Librarian |
Bestellen & Qualität
- RoHS
- REACH
- Bausteinkennzeichnung
- Blei-Finish/Ball-Material
- MSL-Rating / Spitzenrückfluss
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