Startseite Energiemanagement Gate-Treiber Halbbrückentreiber
Startseite
Energiemanagement
Gate-Treiber
Halbbrückentreiber

LM5109B

AKTIV

Halbbrücken-Gate-Treiber 1 A, 100 V, mit 8 V UVLO und hoher Rauschunempfindlichkeit

Jetzt bestellen
Datenblatt

LM5109B

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (NGT) 8 16 mm² 4 x 4
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source)
  • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS
  • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
  • Fast Propagation Times (30 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • 8-Pin SOIC and Thermally-Enhanced 8-Pin WSON Package
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source)
  • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS
  • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
  • Fast Propagation Times (30 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • 8-Pin SOIC and Thermally-Enhanced 8-Pin WSON Package

The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.

The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.
filter Andere Halbbrückentreiber suchen
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Ähnliche Produkte, die für Sie interessant sein könnten

open-in-new Alternativen vergleichen
Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei gleicher Anschlussbelegung
LM2101 AKTIV Halbbrücken-Gate-Treiber, 107 V, 0,5 A/0,8 A, mit 8-V-UVLO Lower 1 ku price
LM2105 AKTIV Halbbrücken-Gate-Treiber, 107 V, 0,5 A/0,8 A, mit 5-V-UVLO und integrierter Bootstrap-Diode Lower 1 ku price and integrated bootstrap diode
Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei abweichender Anschlussbelegung
LM5102 AKTIV Halbbrücken-Gate-Treiber, 2 A, 100 V mit 8 V UVLO und programmierbarer Verzögerung This product adds programmable rising-edge delay with similar current drive specs.
LM5104 AKTIV Halbbrücken-Gate-Treiber, 2 A, 100 V mit 8 V UVLO und adaptiver Verzögerung This product adds resistor-programmable dead-time and an integrated bootstrap diode with a single PWM input.

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 10
Typ Titel Datum
* Data sheet LM5109B High Voltage 1-A Peak Half-Bridge Gate Driver datasheet (Rev. C) PDF | HTML 15 Okt 2015
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28 Feb 2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28 Feb 2020
More literature Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 29 Okt 2018
Technical article How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse PDF | HTML 19 Sep 2018
Technical article How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadti PDF | HTML 30 Mai 2018
Application note AN-1317 Selection of External Bootstrap Diode for LM510X Devices (Rev. B) 04 Mai 2018
Technical article The story of motor-drive integration PDF | HTML 09 Jan 2017
EVM User's guide AN-1299 LM5041 Evaluation Board (Rev. A) 06 Mai 2013
EVM User's guide AN-1331 LM5033 Evaluation Board (Rev. A) 06 Mai 2013

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LM2105EVM — LM2105-Evaluierungsmodul für 105-V-Halbbrückentreiber mit integrierter Bootstrap-Diode

Das LM2105-Evaluierungsmodul (EVM) ist eine Plattform zur Evaluierung der Leistung des LM2105. Der LM2105 ist ein High-/Low-Side-Treiber mit 105 V Boot-Spannung, 0,5 A Peak-Strom und 0,8 A Sink-Strom zur Ansteuerung von zwei N-Kanal-Metall–Oxide–Halbleiter-Feldeffekttransistoren (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Simulationsmodell

LM5109B PSpice Transient Model

SNVMAM7.ZIP (75 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Simulationsmodell

LM5109B Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAM8.ZIP (3 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Berechnungstool

SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Halbbrückentreiber
LM25101 — Halbbrücken-Gate-Treiber für 3 A, 2 A oder 1 A mit 8-V-UVLO- und TTL-Eingängen LM5100A — Halbbrücken-Gate-Treiber, 3 A, 100 V, mit 8 V UVLO und CMOS-Eingängen LM5100B — Halbbrücken-Gate-Treiber, 2 A, 100 V, mit 8 V UVLO und CMOS-Eingängen LM5100C — Halbbrücken-Gate-Treiber, 1 A, 100 V, mit 8 V UVLO und CMOS-Eingängen LM5101 — Hochspannungs-High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber LM5101A — Halbbrücken-Gate-Treiber, 3 A, 100 V, mit 8 V UVLO und TTL-Eingängen LM5101B — Halbbrücken-Gate-Treiber, 2 A, 100 V, mit 8 V UVLO und TTL-Eingängen LM5101C — Halbbrücken-Gate-Treiber, 1 A, 100 V, mit 8 V UVLO und TTL-Eingängen LM5102 — Halbbrücken-Gate-Treiber, 2 A, 100 V mit 8 V UVLO und programmierbarer Verzögerung LM5104 — Halbbrücken-Gate-Treiber, 2 A, 100 V mit 8 V UVLO und adaptiver Verzögerung LM5106 — Halbbrücken-Gate-Treiber, 1,2 A, 1,8 A, 100 V, mit 8-V-UVLO und programmierbarer Totzeit LM5107 — Halbbrücken-Gate-Treiber, 1,4 A, 100 V, mit 8-V-UVLO LM5108 — Halbbrückentreiber mit 2,6 A, 110 V, Aktivierung und Verriegelung LM5109A — Halbbrücken-Gate-Treiber, 1 A, 100 V, mit 8-V-UVLO LM5109B — Halbbrücken-Gate-Treiber 1 A, 100 V, mit 8 V UVLO und hoher Rauschunempfindlichkeit
Herunterladen
Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese voll ausgestattete Design- und Simulationssuite verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
Anfordern
Referenzdesigns

TIDA-010086 — Digital control cost-optimized 10-A battery formation and test reference design

This reference design provides a cost-effective solution for battery formation and test applications. This design uses the C2000™ real-time control MCU for high-resolution pulse-width modulation (PWM) generation, and constant-current (CC) and constant-voltage (CV)
control loops. It efficiently (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Referenzdesigns

TIDM-DC-DC-BUCK — Referenzdesign für digital geregelten, nicht isolierten DC/DC-Abwärtswandler

The purpose of this design is to demonstrate digital power control using a C2000™ microcontroller and evaluate the powerSUITE Digital Power software tools. The design consists of two separate boards:
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (NGT) 8 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos