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LM5109B

AKTIV

Halbbrücken-Gate-Treiber 1 A, 100 V, mit 8 V UVLO und hoher Rauschunempfindlichkeit

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LM5109B

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Produktdetails

Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (NGT) 8 16 mm² 4 x 4
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source)
  • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS
  • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
  • Fast Propagation Times (30 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • 8-Pin SOIC and Thermally-Enhanced 8-Pin WSON Package
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source)
  • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS
  • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
  • Fast Propagation Times (30 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • 8-Pin SOIC and Thermally-Enhanced 8-Pin WSON Package

The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.

The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.
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