UCC27212A-Q1
4-A-, 120-V-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 5-V-UVLO, für Fahrzeuganwendungen
Eine neuere Version dieses Produkts ist verfügbar
Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei gleicher Anschlussbelegung
UCC27212A-Q1
- AEC-Q100 qualified for automotive applications: device temperature grade 1
- –40°C to +150°C junction temperature range
- 5V turn-off Under Voltage Lockout (UVLO)
- Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration with independent inputs
- Maximum boot voltage 120V DC
- 3.7A source, 4.5A sink output currents
- Input pins can tolerate –10V to +20V and are independent of supply voltage range
- TTL compatible Inputs
- 7V to 17V VDD operating range, (20V ABS maximum)
- 7.2ns rise and 5.5ns fall time with 1000pF load
- Fast propagation delay times (20ns typical)
- 4ns typical delay matching
- Available in the SOIC8 (PowerPAD) package
The UCC27212A-Q1 device driver is based on the popular UCC27211 MOSFET drivers. In addition, UCC27212A-Q1 offers extended operating range all the way down to 5V which helps lower power losses.
The peak output pullup and pulldown current is 3.7A source and 4.5A sink. This allows for the ability to drive large power MOSFETs with minimized switching losses during the e Miller Plateau of the MOSFET.
The input structure can directly handle –10V, which increases robustness and also allows direct interface to gate-drive transformers without using rectification diodes. The inputs are also independent of supply voltage and have a 20V maximum rating.
The switching node of the UCC27212A-Q1 (HS pin) can handle –(24V – VDD) maximum, which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused by parasitic inductance and stray capacitance. The UCC27212A-Q1 has increased hysteresis that allows for interface to analog or digital PWM controllers with enhanced noise immunity. The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to ns between the turn on and turn off of each other. An on-chip 120V rated bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers which provides symmetric turn on and turn off behavior and forces the outputs low drive voltage is below the specified threshold.
Technische Dokumentation
Design und Entwicklung
Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.
UCC27212EVM-328 — UCC27212 Evaluierungsmodul mit Leistungsstufe
UCC272XXEVM-328 is designed for evaluating UCC27212DPR, which is a half bridge gate driver with 3.7-A source and 4.5-A sink peak current capability. This EVM could be served to evaluate the driver IC against its datsheet. The EVM can also be used as Driver IC component selection guide.
PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool
TIDA-01407 — Referenzdesign zur Spannungswandlung von 48 V Batteriespannung auf 12 V mit 400 W Ausgangsleistung
PMP20657 — Kompaktes, effizientes Referenzdesign für unidirektionale Stromversorgung für den Automobilbereich v
Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
---|---|---|
HSOIC (DDA) | 8 | Ultra Librarian |
Bestellen & Qualität
- RoHS
- REACH
- Bausteinkennzeichnung
- Blei-Finish/Ball-Material
- MSL-Rating / Spitzenrückfluss
- MTBF-/FIT-Schätzungen
- Materialinhalt
- Qualifikationszusammenfassung
- Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
- Werksstandort
- Montagestandort
Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.
Support und Schulungen
TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren
Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.
Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support.