LM74912-Q1
Diodo ideal con protección integrada contra sobretensiones y cortocircuitos con salida de falla para
LM74912-Q1
- AEC-Q100 qualified for automotive applications
- Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
- Functional Safety-Capable
- 3-V to 65-V input range
- Reverse input protection down to –65 V
- Drives external back-to-back N-channel MOSFETs in common drain configuration
- Ideal diode operation with 10.5-mV A to C forward voltage drop regulation
- Low reverse detection threshold (–10.5 mV) with fast response (0.5 µs)
- 20-mA peak gate (DGATE) turn-on current
- 2.6-A peak DGATE turn-off current
- Adjustable overvoltage and undervoltage protection
- Output short circuit protection with MOSFET latched off state
- Ultra low power mode with 2.5-µA shutdown current (EN=Low)
- SLEEP mode with 6-µA current (EN=High, SLEEP=Low)
- Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable transient voltage suppressor (TVS) diode
- Available in 4 mm × 4 mm 24-pin VQFN package
The LM74912-Q1 ideal diode controller drives and controls external back to back N-channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control with overvoltage, undervoltage and output short circuit protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) in case of overcurrent and overvoltage events using HGATE control. The device has integrated current sense amplifier which provides external MOSFET VDS sense based short circuit protection with an adjustable current limit. When short circuit condition is detected on the output then device latches off the load disconnect MOSFET. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature. The device features a SLEEP mode which enables ultra low quiescent current consumption (6 µA) and at the same time providing refresh current to the always ON loads when vehicle is in the parking state. The LM74912-Q1 has a maximum voltage rating of 65 V.
Documentación técnica
Tipo | Título | Fecha | ||
---|---|---|---|---|
* | Data sheet | LM74912-Q1 Automotive Ideal Diode Controller With Fault Output and Overvoltage, Undervoltage, and Short Circuit Protection datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 20 sep 2023 |
Application brief | Enabling Ultra Low Quiescent Current Through LM74912- Q1 Sleep Mode While Powering Always On Loads | PDF | HTML | 11 dic 2023 | |
Certificate | LM74912Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 26 jun 2023 |
Diseño y desarrollo
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Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
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VQFN (RGE) | 24 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
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