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TPS7H2211-SP

ACTIVO

Fusible electrónico resistente a la radiación, QMLV y QMLP, entrada de 4.5 V a 14 V y 3.5 A

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TPS7H2211-SP

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Detalles del producto

FET Internal Ron (typ) (mΩ) 54 Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 14 Vabsmax_cont (V) 16 Overcurrent response Circuit breaker Fault response Auto-retry Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Features Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Rating Space Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125 Function Inrush current control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Short circuit protection, Thermal shutdown
FET Internal Ron (typ) (mΩ) 54 Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 14 Vabsmax_cont (V) 16 Overcurrent response Circuit breaker Fault response Auto-retry Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Features Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Rating Space Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125 Function Inrush current control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Short circuit protection, Thermal shutdown
CFP (HKR) 16 105.6 mm² 11 x 9.6 DIESALE (KGD) — See data sheet HTSSOP (DAP) 32 89.1 mm² 11 x 8.1
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 100krad(Si)
    • Radiation hardness assurance availability of 100krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg*
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized to LET = 75MeV-cm2/mg*
  • Integrated single channel eFuse
  • Input voltage range: 4.5V to 14V
  • Low on-resistance (RON) of 60mΩ maximum at 25°C and VIN = 12V
  • 3.5A maximum continuous switch current
  • Low control input threshold aids in use of 1.2, 1.8, 2.5, and 3.3V logic
  • Configurable rise time (soft start)
  • Reverse current protection (RCP)
  • Overvoltage protection (OVP)
  • Internal current limit (fast-trip)
  • Thermal shutdown
  • Ceramic and plastic package with thermal pad
  • Available in military (–55°C to 125°C) temperature range
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 100krad(Si)
    • Radiation hardness assurance availability of 100krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg*
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized to LET = 75MeV-cm2/mg*
  • Integrated single channel eFuse
  • Input voltage range: 4.5V to 14V
  • Low on-resistance (RON) of 60mΩ maximum at 25°C and VIN = 12V
  • 3.5A maximum continuous switch current
  • Low control input threshold aids in use of 1.2, 1.8, 2.5, and 3.3V logic
  • Configurable rise time (soft start)
  • Reverse current protection (RCP)
  • Overvoltage protection (OVP)
  • Internal current limit (fast-trip)
  • Thermal shutdown
  • Ceramic and plastic package with thermal pad
  • Available in military (–55°C to 125°C) temperature range

The TPS7H2211 is a single channel eFuse (integrated FET load switch with additional features) that provides reverse current protection, overvoltage protection, and a configurable rise time to minimize inrush current, soft start. The device contains P-channel MOSFETs that operate over an input voltage range of 4.5V to 14V and supports a maximum continuous current of 3.5A.

The switch is controlled by an on and off input (EN), which is capable of interfacing directly with low-voltage control signals. Overvoltage protection and soft start are programmable with few external components through the OVP and SS pins. The TPS7H2211 is available in a ceramic and plastic package with an exposed thermal pad allowing for improved thermal performance. A standard microcircuit drawing (SMD) is available for the QML 5962R1822001VXC. A vendor item drawing (VID) is available for the -SEP variant, V62/23609.

The TPS7H2211 is a single channel eFuse (integrated FET load switch with additional features) that provides reverse current protection, overvoltage protection, and a configurable rise time to minimize inrush current, soft start. The device contains P-channel MOSFETs that operate over an input voltage range of 4.5V to 14V and supports a maximum continuous current of 3.5A.

The switch is controlled by an on and off input (EN), which is capable of interfacing directly with low-voltage control signals. Overvoltage protection and soft start are programmable with few external components through the OVP and SS pins. The TPS7H2211 is available in a ceramic and plastic package with an exposed thermal pad allowing for improved thermal performance. A standard microcircuit drawing (SMD) is available for the QML 5962R1822001VXC. A vendor item drawing (VID) is available for the -SEP variant, V62/23609.

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Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
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Tipo Título Fecha
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* Radiation & reliability report TPS7H2211-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) 18 oct 2021
* SMD TPS7H2211-SP SMD 5962-18220 02 sep 2021
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Diseño y desarrollo

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TPS7H2211-SP PSpice Transient Model

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Modelo de simulación

TPS7H2211-SP PSpice Worst-Case Analysis (WCA) Model

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Herramienta de cálculo

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  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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