TPS1211-Q1
- 下記結果で AEC-Q100 認定済み
- デバイス温度グレード 1: 動作時周囲温度範囲 -40℃~+125℃
- 機能安全対応
- 3.5V~40V の入力範囲 (絶対最大定格 45V)
- 最小 -30V までの出力逆極性保護
- 100µA の電流能力を持つ内蔵 12V チャージ ポンプ
- 低シャットダウン電流 (EN/UVLO = Low):0.9µA
- 強力なプルアップ (3.7A) およびプルダウン (4A) ゲート ドライバ
- 外付けバックツーバック N チャネル MOSFET を駆動
- 容量性負荷を駆動するためのプリチャージ スイッチ ドライバを内蔵したバリアント (TPS12111-Q1)
- 可変応答時間 (TMR) とフォルト フラグ出力 (FLT_I) を備えた 2 レベルの可変過電流保護機能 (IWRN、ISCP)
- 高速な短絡保護:1.2µs (TPS12111-Q1、TPS12112-Q1)、4µs (TPS12110-Q1)
- 高精度アナログ電流モニタ出力 (IMON):±2% (30mV 時) (VSNS)
- 調整可能な低電圧誤動作防止 (UVLO) および過電圧保護 (OV)< ±2%
- フォルト フラグ出力 (FLT_T) を備えたリモート過熱検出 (DIODE) および保護
- TPS4811-Q1 とピン互換
TPS1211-Q1 ファミリは、保護および診断機能を備えた 45V のスマート ハイサイド ドライバです。本デバイスは、動作電圧範囲が 3.5V~40V と広いため、12V のシステム設計に適しています。
本デバイスは、大電流システム設計において並列 FET を使って電力をスイッチングできる、強力な 3.7A ピーク ソース (PU) と4A ピーク シンク (PD) ゲート ドライバを備えています。ゲート ドライバの制御入力として INP を使います。
本デバイスは、エネルギー管理システムを可能にする、高精度の電流検出 (30mV で±2%) 出力 (IMON) を備えています。本デバイスは、スレッショルドと応答時間を精密に調整できる FLT_I 出力を備えた 2 レベルの過電流保護機能を備えています。自動リトライおよびラッチオフ フォルト動作は設定可能です。本デバイスは、FLT_T 出力を備えたリモート過熱保護機能を備えています。
TPS12111-Q1 は、制御入力 (INP_G) を備えたプリチャージ ドライバ (G) を内蔵しています。この機能は、大きな容量性負荷を駆動する必要がある設計を可能にします。シャットダウン モード (EN/UVLO < 0.3V) では、コントローラは 0.9µA (標準値) の合計シャットダウン電流を消費します。
TPS1211-Q1 は、隣接する高電圧ピンと低電圧ピンの間のピンを取り除くことで 0.8mm の間隔を確保した 19 ピン VSSOP パッケージで供給されます。
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技術資料
設計および開発
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購入と品質
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- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
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