전원 관리 전원 스위치 이상적인 다이오드/오링 컨트롤러

LM7481-Q1

활성

액티브 정류 구동 B2B NFET를 지원하는 오토모티브 이상적 다이오드 컨트롤러

제품 상세 정보

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 2 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.428 Iq (max) (mA) 0.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 60000 IGate sink (typ) (mA) 1500 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 350 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 2 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.428 Iq (max) (mA) 0.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 60000 IGate sink (typ) (mA) 1500 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 350 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Drives external back to back N-channel MOSFETs
  • Ideal diode operation with 9.1-mV A to C forward voltage drop regulation
  • Low reverse detection threshold (–4 mV) with fast response (0.5 µs)
  • Active rectification up to 200-KHz
  • 60-mA peak gate (DGATE) turn-on current
  • 2.6-A peak DGATE turnoff current
  • Integrated 3.8-mA charge pump
  • Adjustable over voltage protection
  • Low 2.87 µA shutdown current (EN/UVLO=Low)
  • 2.6-A peak DGATE turn-off current
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
  • Available in space saving 12-Pin WSON package
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Drives external back to back N-channel MOSFETs
  • Ideal diode operation with 9.1-mV A to C forward voltage drop regulation
  • Low reverse detection threshold (–4 mV) with fast response (0.5 µs)
  • Active rectification up to 200-KHz
  • 60-mA peak gate (DGATE) turn-on current
  • 2.6-A peak DGATE turnoff current
  • Integrated 3.8-mA charge pump
  • Adjustable over voltage protection
  • Low 2.87 µA shutdown current (EN/UVLO=Low)
  • 2.6-A peak DGATE turn-off current
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
  • Available in space saving 12-Pin WSON package

The LM74810-Q1 ideal diode controller drives and controls external back to back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and over voltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. A strong charge pump of 3.8 mA with 60-mA peak GATE source current driver stage and short turn ON and turn OFF delay times ensures fast transient response ensuring robust and efficient MOSFET switching performance during automotive testing such as ISO16750 or LV124 where an ECU is subjected to input short interruptions and AC superimpose input signals upto 200-KHz frequency. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and over voltage protection using HGATE control. The device features an adjustable over voltage cut-off protection feature for load dump protection.

The LM74810-Q1 ideal diode controller drives and controls external back to back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and over voltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. A strong charge pump of 3.8 mA with 60-mA peak GATE source current driver stage and short turn ON and turn OFF delay times ensures fast transient response ensuring robust and efficient MOSFET switching performance during automotive testing such as ISO16750 or LV124 where an ECU is subjected to input short interruptions and AC superimpose input signals upto 200-KHz frequency. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and over voltage protection using HGATE control. The device features an adjustable over voltage cut-off protection feature for load dump protection.

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기술 자료

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설계 및 개발

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평가 보드

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Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
WSON (DRR) 12 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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