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TPS7H2201-SP

ACTIVO

Fusible electrónico resistente a la radiación, QMLV y QMLP, entrada de 1.5 V a 7 V y 6 A

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TPS7H2201-SP

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Detalles del producto

FET Internal Ron (typ) (mΩ) 34 Vin (min) (V) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vabsmax_cont (V) 7.5 Current limit (min) (A) 0.5 Current limit (max) (A) 7.5 Overcurrent response Circuit breaker, Current limiting, current limiting Fault response Auto-retry Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Features Current monitoring, Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Rating Space Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125 Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.0058 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.008
FET Internal Ron (typ) (mΩ) 34 Vin (min) (V) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vabsmax_cont (V) 7.5 Current limit (min) (A) 0.5 Current limit (max) (A) 7.5 Overcurrent response Circuit breaker, Current limiting, current limiting Fault response Auto-retry Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Features Current monitoring, Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Rating Space Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125 Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.0058 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.008
CFP (HKR) 16 105.6 mm² 11 x 9.6 DIESALE (KGD) — See data sheet HTSSOP (DAP) 32 89.1 mm² 11 x 8.1
  • Standard micro circuit available, SMD 5962R17220
  • Vendor item drawing available, VID V62/23608
  • Radiation performance:
    • Radiation hardness assurance (RHA) up to TID 100krad(Si)
    • Single event latchup (SEL), single event burnout (SEB), and single event gate rupture (SEGR) immune to LET = 75MeV-cm2/mg
    • SEFI/SET characterized to LET = 75MeV-cm2/mg
  • Integrated single channel eFuse
  • Input voltage range: 1.5V to 7V
  • Low on-resistance (RON) of :
    • 35mΩ maximum at 25°C and VIN = 5V for CFP and KGD
    • 23mΩ maximum at 25°C and VIN = 5V for HTSSOP
  • 6-A maximum continuous switch current
  • Low control input threshold enables use of 1.2, 1.8, 2.5, and 3.3V logic
  • Configurable rise time (soft start)
  • Reverse current protection
  • Programmable and internal current limiting (fast-trip)
  • Programmable fault timer (current limit and retry modes)
  • Thermal shutdown
  • Ceramic and plastic package with thermal pad
  • Standard micro circuit available, SMD 5962R17220
  • Vendor item drawing available, VID V62/23608
  • Radiation performance:
    • Radiation hardness assurance (RHA) up to TID 100krad(Si)
    • Single event latchup (SEL), single event burnout (SEB), and single event gate rupture (SEGR) immune to LET = 75MeV-cm2/mg
    • SEFI/SET characterized to LET = 75MeV-cm2/mg
  • Integrated single channel eFuse
  • Input voltage range: 1.5V to 7V
  • Low on-resistance (RON) of :
    • 35mΩ maximum at 25°C and VIN = 5V for CFP and KGD
    • 23mΩ maximum at 25°C and VIN = 5V for HTSSOP
  • 6-A maximum continuous switch current
  • Low control input threshold enables use of 1.2, 1.8, 2.5, and 3.3V logic
  • Configurable rise time (soft start)
  • Reverse current protection
  • Programmable and internal current limiting (fast-trip)
  • Programmable fault timer (current limit and retry modes)
  • Thermal shutdown
  • Ceramic and plastic package with thermal pad

The TPS7H2201 is a single channel eFuse that provides configurable rise time to minimize inrush current and reverse current protection. The device contains a P-channel MOSFET that can operate over an input voltage range of 1.5V to 7V and can support a maximum continuous current of 6A. The switch is controlled by an on and off input (EN), which is capable of interfacing directly with low-voltage control signals.

The TPS7H2201 is available in a ceramic and plastic package with integrated thermal pad allowing for high power dissipation. The device is characterized for operation over the free-air temperature range of –55°C to 125°C.

The TPS7H2201 is a single channel eFuse that provides configurable rise time to minimize inrush current and reverse current protection. The device contains a P-channel MOSFET that can operate over an input voltage range of 1.5V to 7V and can support a maximum continuous current of 6A. The switch is controlled by an on and off input (EN), which is capable of interfacing directly with low-voltage control signals.

The TPS7H2201 is available in a ceramic and plastic package with integrated thermal pad allowing for high power dissipation. The device is characterized for operation over the free-air temperature range of –55°C to 125°C.
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Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
CFP (HKR) 16 Ultra Librarian
DIESALE (KGD) —
HTSSOP (DAP) 32 Ultra Librarian
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Pedidos y calidad

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  • RoHS
  • REACH
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  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
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Información incluida:
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Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

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