JAJA675B November   2018  – October 2021 DRV10866 , DRV10963 , DRV10964 , DRV10970 , DRV10974 , DRV10975 , DRV10983 , DRV10983-Q1 , DRV10987 , DRV11873 , DRV3205-Q1 , DRV3220-Q1 , DRV3245E-Q1 , DRV3245Q-Q1 , DRV8301 , DRV8302 , DRV8303 , DRV8304 , DRV8305 , DRV8305-Q1 , DRV8306 , DRV8307 , DRV8308 , DRV8312 , DRV8313 , DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R , DRV8332 , DRV8343-Q1 , DRV8350 , DRV8350R , DRV8353 , DRV8353R , DRV8412 , DRV8701 , DRV8702-Q1 , DRV8702D-Q1 , DRV8703-Q1 , DRV8703D-Q1 , DRV8704 , DRV8711 , DRV8800 , DRV8801 , DRV8801-Q1 , DRV8801A-Q1 , DRV8802 , DRV8802-Q1 , DRV8803 , DRV8804 , DRV8805 , DRV8806 , DRV8811 , DRV8812 , DRV8813 , DRV8814 , DRV8816 , DRV8818 , DRV8821 , DRV8823 , DRV8823-Q1 , DRV8824 , DRV8824-Q1 , DRV8825 , DRV8828 , DRV8829 , DRV8830 , DRV8832 , DRV8832-Q1 , DRV8833 , DRV8833C , DRV8834 , DRV8835 , DRV8836 , DRV8837 , DRV8837C , DRV8838 , DRV8839 , DRV8840 , DRV8841 , DRV8842 , DRV8843 , DRV8844 , DRV8846 , DRV8847 , DRV8848 , DRV8850 , DRV8860 , DRV8870 , DRV8871 , DRV8871-Q1 , DRV8872 , DRV8872-Q1 , DRV8873-Q1 , DRV8880 , DRV8881 , DRV8884 , DRV8885 , DRV8886 , DRV8886AT , DRV8889-Q1

 

  1.   商標
  2. 1グランド配線の最適化
    1. 1.1 よく使用される用語 / 接続
    2. 1.2 グランド・プレーンの使用
      1. 1.2.1 2 層基板技術
    3. 1.3 共通の問題
      1. 1.3.1 容量性および誘導性結合
      2. 1.3.2 同相および差動ノイズ
    4. 1.4 EMC に関する考慮事項
  3. 2熱の概要
    1. 2.1 PCB の熱伝導および対流
    2. 2.2 連続的な最上層のサーマル・パッド
    3. 2.3 銅厚
    4. 2.4 サーマル・ビアの接続
    5. 2.5 サーマル・ビアの幅
    6. 2.6 熱設計のまとめ
  4. 3ビア
    1. 3.1 ビアの電流容量
    2. 3.2 ビアのレイアウトに関する推奨事項
      1. 3.2.1 複数ビアのレイアウト
      2. 3.2.2 ビアの配置
  5. 4一般的な配線手法
  6. 5バルクおよびバイパス・コンデンサの配置
    1. 5.1 バルク・コンデンサの配置
    2. 5.2 チャージ・ポンプ・コンデンサ
    3. 5.3 バイパス / デカップリング・コンデンサの配置
      1. 5.3.1 電源の近く
      2. 5.3.2 電力段の近く
      3. 5.3.3 スイッチ電流源の近く
      4. 5.3.4 電流センス・アンプの近く
      5. 5.3.5 電圧レギュレータの近く
  7. 6MOSFET の配置と電力段の配線
    1. 6.1 一般的なパワー MOSFET パッケージ
      1. 6.1.1 DPAK
      2. 6.1.2 D2PAK
      3. 6.1.3 TO-220
      4. 6.1.4 8 ピン SON
    2. 6.2 MOSFET のレイアウト構成
    3. 6.3 電力段のレイアウト設計
      1. 6.3.1 スイッチ・ノード
      2. 6.3.2 大電流ループ経路
      3. 6.3.3 VDRAIN センス・ピン
  8. 7電流センス・アンプの配線
    1. 7.1 シングル・ハイサイド電流シャント
    2. 7.2 シングル・ローサイド電流シャント
    3. 7.3 2 相および 3 相電流シャント・アンプ
    4. 7.4 部品選定
    5. 7.5 配置
    6. 7.6 配線
    7. 7.7 便利なツール (ネット・タイと差動ペア)
    8. 7.8 入力および出力フィルタ
    9. 7.9 必須事項と禁止事項
  9. 8関連資料
  10. 9改訂履歴

6.3.3 VDRAIN センス・ピン

VDRAIN ピンは、ハイサイド MOSFET のドレイン電圧を検出するために使います。VDRAIN ピンを備えたモーター・ドライブ・デバイスの性能を最大限に引き出すには、配線する際に考慮すべき事項があります。電源電圧が、ハイサイド MOSFET のドレインに最初に印加されるため、VDRAIN ピンの配線がレイアウトにとって非常に重要です。VDRAIN ピンは、過電流イベント時にハイサイド MOSFET の VDS 電圧を監視できる電源電圧 (VM) のケルビン接続を可能にします (図 6-13 を参照)。電力段の VM 接続は通常、必要な電流に対応する広い銅プレーンと幅広いトレースで構成されているため、プレーンの追加のインダクタンスと電圧降下は VDS の測定精度に影響を与える可能性があります。このため、VDRAIN ピンを 1 本のトレースで外部パワー MOSFET のドレインに直接配線します。OCP フォルトの誤発生を引き起こす可能性のある追加のインダクタンスを最小限に抑えるため、ドレインの近くにネット・タイを使用することを推奨します (図 6-14 を参照)。

GUID-33D92531-63D0-4FAF-98EC-47761700B878-low.gif図 6-13 VDRAIN のケルビン接続
GUID-0F692B4E-E6EC-4F29-BC9C-4198D1298706-low.gif図 6-14 ハイサイド MOSFET ドレインのネット・タイ